[공부좀하자!] NOR vs NAND

flash memory (flash RAM) ; 플래시메모리

플래시메모리 (때로 '플래시 램'으로도 불린다)는 지속적으로 전원이 공급되는 비휘발성 메모리로서 블록단위로 내용을 지울 수도 있고, 다시 프로그램 할 수도 있다. 플래시메모리는 EEPROM의 변형 중 하나인데, 바이트 레벨에서 지울 수도 있고 수정할 수도 있는 EEPROM과는 달리 블록 단위로 수정되기 때문에 속도가 빠르다. 플래시메모리는 종종 PC의 바이오스와 같은 제어코드를 저장하는데 사용된다. 바이오스를 수정해야할 필요가 있을 때, 플래시메모리는 바이트 단위가 아닌 블록 단위로 기록되므로 수정이 쉽다. 한편, 플래시메모리가 일반 램처럼 유용하지는 못한 이유는, 램은 블록이 아닌 바이트 단위의 주소 지정이 가능해야하기 때문이다. 플래시메모리는 메모리 셀들의 한 부분이 섬광(flash)처럼 단 한번의 동작으로 지워질 수 있도록 마이크로칩이 조직화되었기 때문에 이런 이름을 얻었다. 삭제는 Fowler-Nordheim 터널효과에 의해 일어나는데, 전자들이 얇은 유전체(誘電體) 물질을 관통하여 각 메모리 셀과 결합되어 있는 부유 게이트로부터 전하를 제거한다. 인텔은 각 메모리 셀 내에 두 비트씩 저장시킴으로써 가격상승 요인 없이도 메모리의 용량을 두 배로 늘릴 수 있는 플래시메모리의 한 형태를 제공한다. 플래시메모리는 디지털 휴대전화, 디지털 카메라, 랜스위치, 노트북 컴퓨터의 PC 카드, 디지털 셋톱박스, 내장 컨트롤러 등과 같은 다양한 장치들에 사용된다. 이상 텀즈(http://www.terms.co.kr/)의 정의다. 위와 같은 플래시 메모리(이하 플래시)는 크게 두가지로 나눌 수 있는데, 그것은 제목과 같이 NOR 와 NAND 이다. 이들은 CPU가 데이터에 접속하는 모드에 따라 구별한다. 이들의 차이점을 정리하면 다음과 같다. 　 NOR NAND 코드실행 가능 불가능 블럭크기 64KB 8KB 랜덤억세스 가능 불가능 제조원가 고가 저가 집적도 낮음 높음 우선 용도 부터가 다르다고 할 수 있다. NAND의 경우 데이터 저장용이라 본다면, NOR는 코드를 실행하는 애플리케이션에서 EPROM을 대체하기 위해 설계되었다. 따라서 NOR는 메모리 상에서 코드 실행이 가능하며, NAND는 불가능하다. 그래서 보통 핸드폰 등은 NOR를, MP3P 등은 NAND를 사용한다. 물론 예외는 있다. 일부 핸드폰의 경우 NAND ROM을 사용하지만, 이럴 경우 코드는 부팅시 NOR에 상주시키는 과정이 필요하다. 블럭크기의 차이는 쓰기 속도에 영향을 미치는데, 예를들어 1KB의 데이터를 새로 쓰기위해, NOR가 비효율적임을 알 수 있다. 반면에 랜덤억세스 역시 쓰기 및 읽기 성능에 중요한 변수인데, 랜덤억세스가 안되는 NAND의 경우는 리니어하게 읽어서 찾아야 한다는 것이다. 이는 셀의 구성 방식에 따른 것인데, NAND의 경우 직렬로 구성되어 있다. 정리하자면, NOR가 효율적이지만(읽기 쓰기에서.) 비싸고, NAND는 싸고 집적도가 높지만, 비효율적이다.